作者：深圳市jnh官网电气有限公司
时间：2023-01-05
技术的特点是采用高功率电源和非平衡磁控溅射靶。可以提高非常高的等离子体密度和离化率。
高功率电源有很高的峰值功率，高达每平方厘米1000W-3000W，是普通磁控溅射的100倍。等离子体密度高达每立方米1018数量级，溅射清洗速度快溅射材料的离化率极高，采用铜靶时可达70%的离化率，和电弧离子镀的技术离化率相当了，大大提高了金属离化率。对比和高功率溅射的离化率，在通入氩气的时候采用钛靶，采用直流溅射钛的离化率10%，采用高功率溅射的钛的离化率是46%。直流磁控溅射是以氩气电离为主，高功率磁控溅射是以金属钛电离为主。
现在简单介绍下高功率溅射沉积氮化铬的工艺过程，首先抽真空，到本底真空度后，通入氩气至1Pa，开启高功率复合脉冲磁控溅射电源。高压辉光清洗之后沉积铬的过渡层，最后沉积氮化铬的薄膜，靶基距14cm，复合直流0.2A，通入的氮气和氩气的量的比是6:10，制备氮化铬的所需的沉积时间是60min,膜层可以达到1.4.最后关闭所有电源，工件真空条件下冷却30分钟。
高功率得到的膜层组织是更加细腻致密的，高功率的作用使得等离子体中高份额的高能离子中在沉积薄膜时的作用，高度离子化的束流不含有大颗粒，金属离化率很高，膜层组织致密膜层组织质量好，具有优异的性能，膜基结合率高，沉积温度低，可以在聚四氟乙烯上镀膜。
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